Gå forbi kapacitetsbegrænsninger med Samsung V-NAND

Tænk Vertikalt

Samsung V-NAND flash-teknologi bryder kapacitetsbegrænsningsbarrieren, oplevet med 2D Planar NAND med sin innovative vertikale arkitektur. Resultatet er højere celletæthed for større kapacitet og ingen celle-til-celleforstyrrelse, hvilket sætter nye standarder for hastighed, effektivitet og ydeevne.

Vi bruger cookies for at kunne give dig en bedre oplevelse. Fortsæt med at browse hvis du har det fint med dette, eller læs vores fortrolighedspolitik her.